瞻芯电子依托自建的碳化硅(SiC)晶圆产线，开发了第二代碳化硅(SiC)MOSFET产品，其中1200V 40mΩ碳化硅(SiC)MOSFET (IV2Q12040T4Z) 于近日获得了AEC-Q101车规级可靠性认证证书，而且还通过了新能源行业头部企业的导入测  试，正式开启量产交付。

这不仅验证了瞻芯电子的第二代碳化硅(SiC)MOSFET工艺平台的可靠性，也为后续即将量产的其它SiC MOSFET系列产品奠定了坚实基础，同时也标志着瞻芯电子于浙江义乌建成的碳化硅(SiC)晶圆厂迈进新阶段。

产品特性

 瞻芯电子开发的第二代SiC MOSFET产品驱动电压(Vgs)为15-18V，可提升了应用兼容性，简化应用系统设计。在产品结构上，第二代SiC MOSFET与第一代产品同为平面栅MOSFET，但进一步优化了栅氧化层工艺和沟道设计，使器件比导通电阻降低约25%，并显著降低开关损耗，提升系统效率。同时，第二代SiC MOSFET产品依然保持高可靠性与强鲁棒性，在AEC-Q101车规可靠性认证、短路测试、浪涌测试中等评估中表现优良。

此外，瞻芯电子将在2023年陆续推出更多规格类型的第二代SiC MOSFET，耐压等级包括650V/750V/1200V/1700V，导通电阻覆盖14mΩ-50Ω，并且大都采用车规级标准设计，如下：

IV2Q12040T4Z是一款车规级1200V 40mΩ SiC MOSFET产品，导通电流Ids=65A(Tc=25℃)，可耐受工作结温高达175℃，在对比同类产品测试中，其单位导通电阻较低，开关损耗与寄生电容更小，适用于更高开关频率。

注：所有数据均由瞻芯电子通过同一双脉冲测试平台实测所得。

Ø  Eon/Eoff 测试条件为V_DS=800V I_DS=30A

Ø  在25℃下调整Rg_on和Rg_off，使dV/dt和di/dt达到目标值；175℃下Rg保持不变

 备注：所有数据均由瞻芯电子通过同一双脉冲测试平台实测所得

          Ø 反向恢复测试条件为V_DS=800V I_DS=30A

          Ø 在25℃下调整Rg使di/dt达到目标值；175℃下Rg保持不变

IV2Q12040T4Z在可靠性与鲁棒性方面表现也不俗，通过了严苛的车规级可靠性认证(AEC-Q101标准，包括100% Vds HTRB、HV-H3TRB等加严项目)。

 IV2Q12040T4Z在短路测试中，可耐受500A峰值脉冲电压，短路时间大于3uS，波形图如下：

IV2Q12040T4Z在接受单次10ms浪涌电流测试中，可耐受峰值电流高达214A，波形图如下：

IV2Q12040T4Z采用T0247-4封装，具备开尔文源极引脚，能减小主回路对驱动信号的影响，因此更适合高功率、高频率、高效率的应用场景。

典型应用场景

1、 电机驱动

2、 光伏逆变器、储能

3、车载直流变换器(DC-DC)

4、车载空压机驱动

5、开关电源

6、充电桩

7、特种工业电源

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