2022年9月，瞻芯电子自建的SiC晶圆厂自主完成了首批6英寸SiC MOSFET晶圆流片，产品参数达到设计要求，良率指标正常，标志6英寸SiC MOSFET工艺平台正式打通。

瞻芯电子SiC晶圆厂继2022年7月22日正式投片后，在一个半月时间内就打通SiC MOSFET工艺平台，再次展现了瞻芯团队强大的的技术整合能力和攻关能力。

此外，早在2022年8月5日瞻芯电子SiC晶圆厂的第一片SiC 二极管(SBD)晶圆就流片成功，良率指标优异，同时表明6英寸SiC SBD工艺平台工艺打通。

后续，瞻芯将进一步优化工艺流程，加强质量管控，提高产品良率，为全面量产做好准备。