新闻资讯
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2025/12/12
瞻芯电子G2 650V SiC MOSFET鲁棒性试验，探索产品寿命潜力瞻芯电子共对2156颗SiC MOSFET样本进行长达3500小时的极限应力测试，基于经典寿命模型预测器件寿命可达数百年（典型条件），远超瞻芯电子对车规级产品加严设定的18年寿命标准查看详情 > -
2025/12/10
瞻芯电子揽获4项行业大奖，2025年产品、产能、业绩全面爆发近期，瞻芯电子凭借在SiC功率半导体领域的综合实力，接连斩获4项行业重磅奖项。多项大奖加身，彰显行业对公司技术创新、产业化能力与市场表现的高度认可。查看详情 > -
2025/09/19
瞻芯电子携全系列SiC功率器件及行业解决方案亮相PCIM Asia，9.24-26邀您探展全系列碳化硅(SiC)功率器件、驱动和控制芯片，面向汽车电子、光伏储能、充电桩和工业电源行业提供芯片解决方案查看详情 > -
2025/09/19
瞻芯电子C轮融资获超10亿元投资，碳化硅IDM战略迈向新阶段自2017年成立以来，瞻芯电子累计融资规模已接近三十亿元，是国内碳化硅领域最具投资价值的企业之一。查看详情 > -
2025/09/12
从专精特新 “小巨人” 到市级企业技术中心！瞻芯电子以创“芯”硬实力锚定行业标杆瞻芯电子凭借卓越的技术创新体系与产业化成果，被正式认定为 “上海市企业技术中心”。查看详情 > -
2025/07/23
瞻芯电子八周年：以初心致匠心，以创芯绘蓝图瞻芯电子隆重举办 8 周年庆典，见证浙江义乌晶圆厂（Yfab）第二期扩建洁净间启用和新设备搬入的重要时刻。查看详情 > -
2025/03/14
瞻芯电子推出1200V SiC 半桥1B封装模块，助力高频高效应用这款1B封装的1200V 9mΩ 碳化硅(SiC)半桥功率模块(IV1B12009HA2L)为光伏、储能和充电桩等应用场景，提供了高效、低成本的解决方案。查看详情 > -
2025/03/01
瞻芯电子推出2000V SiC 4相升压模块，3B封装提升系统功率密度这款3B封装的2000V 碳化硅(SiC) 4相升压功率模块产品(IV3B20023BA2)，为光伏等领域提供了高电压、高功率密度的解决方案。查看详情 > -
2024/12/06
TC3Pak顶部散热封装SiC MOSFET，助力高效高密电源设计TC3Pak（Topside Cooling D3Pak）顶部散热型、表面贴封装1200V碳化硅（SiC）MOSFET产品，具有漏感小、开关损耗低、散热性强、安装方便等特点。查看详情 > -
2024/10/26
车规级5.7kVrms隔离驱动芯片IVCO141x量产，集成负压驱动和短路保护IVCO141x芯片集成了负压驱动/短路保护等功能，是针对SiC MOSFET应用特点，而设计的比邻驱动®(NextDrive®)芯片之中的隔离型产品，现已获得车规级可靠性认证（AEC-Q100）。查看详情 >
