近期，瞻芯电子凭借在SiC功率半导体领域的综合实力，接连斩获4项行业重磅奖项：在“2025行家极光奖”评选中一举拿下【年度优秀产品】【第三代半导体年度成长企业】【中国SiC器件IDM十强企业】三项荣誉，随后又在第十六届亚洲电源技术发展论坛上获评【SiC行业卓越奖】。多项大奖加身，彰显行业对公司技术创新、产业化能力与市场表现的高度认可。
图：第十六届亚洲电源技术发展论坛颁发【SiC行业卓越奖】
此次摘得“年度优秀产品”的创新合封SiC单管器件（IV3M12035T935），专为光伏应用场景量身打造。该产品采用TO247-4Slim封装，集成G3 1200V 35mΩ SiC MOSFET与Si二极管，成功破解光伏应用中SiC MOSFET体二极管导通电压高、浪涌能力不足的行业痛点，为光伏系统提供更高效可靠的解决方案。
作为中国领先的SiC IDM企业，瞻芯电子从2017年虚拟IDM模式起步，2020年推出国内首批自主工艺自主研发的SiC MOSFET产品，2022年义乌SiC晶圆厂建成投产，实现从器件及工艺开发，到晶圆制造的全链条自主可控。2025年二期洁净间启用后，晶圆厂洁净面积翻倍，之后产能将逐步提升至1万片/月，未来可扩展至30万片/年，为爆发性市场提供坚实供应保障，这也是公司获评“中国SiC器件IDM十强企业”的核心支撑。
图：浙江瞻芯车规级SiC晶圆厂
2025年，瞻芯电子技术研发与市场拓展双线告捷。研发端，公司针对新能源汽车主驱逆变器推出第三代1200V 10mΩ/13mΩ 大芯片 SiC MOSFET；面向光伏储能、充电桩、车载OBC等场景开发全系列SiC器件及功率模块，其中2000V SiC 功率模块已批量应用于大型光伏电站，SMPD塑封SiC半桥模块通过AQG324车规认证并搭载热门新能源车型OBC。业绩端，11月单月销售额创历史新高，同比增长近一倍，核心品类SiC MOSFET分立器件、SiC功率模块、驱动芯片全面高速增长。截至目前，累计交付SiC MOSFET 约4800万颗、SiC SBD约3000万颗、栅极驱动芯片约1亿颗。
此次荣获四项行业大奖，是对瞻芯电子8年深耕SiC领域的实力印证。未来，依托SiC IDM布局、持续迭代的技术产品与充足产能储备，瞻芯电子将进一步深化与新能源汽车和充电桩、光伏与储能、工业电源等核心领域客户的合作，为相关应用产业的发展注入强劲动力。
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