技术支持

TECH SUPPORT

  • Q上海瞻芯电子如何解决SiC MOSFET应用中驱动负压的建立?这种方式是否可靠?

    A

     瞻芯开发了工业界首款采用8引脚封装,集成负压驱动的35V/4A驱动器IVCR1401D/IVCR1404DP. 在驱动器启动后,NEG输出被拉至GND,内部的电流源快速为负压电容充电,负压建立后,NEG引脚被释放,内部的负压调节器可将负压调节至-3.5V以正常运行,之后,栅极驱动信号NEG在(VCC-3.5V)和-3.5之间进行切换,如下图所示为负压电容的负压建立过程,1uF电容充电大约需要28us。

     应使用超过100倍Cg电容的X7R电容,来减小负压电容上的纹波,使负压可靠稳定的建立运行并进行驱动。在我司的老化测试系统电路已经使用该芯片进行过验证,在1000V/20A/125℃的运行条件下驱动SiC MOSFET,连续运行1000h后,仍然能够稳定可靠的进行驱动。

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  • QSiC MOSFET驱动与Si IGBT驱动异同?SiC MOSFET能否沿用IGBT插件驱动板方式驱动?

    A

     不能沿用。因为采用驱动板的方式,驱动回路寄生电感比较大,从而需要更大的驱动电阻来阻尼,进而导致开关速度变慢,损耗增大。如果不用更大的驱动电阻来阻尼,那么Vgs波形会导致比较大的振荡,进而导致Vds振荡,从而增加开关损耗。另,寄生电感比较大本身就增加了驱动回路阻抗,驱动电路的抗米勒能力减弱,导致开关速度变慢,损耗也增大。