2026年11月2日，“中国芯”集成电路产业促进大会在横琴召开，同期发布第二十一届“中国芯”优秀产品评选结果。上海瞻芯电子科技股份有限公司（简称“瞻芯电子”）自主研发的第3代1200V 35毫欧 SiC MOSFET系列产品，凭借突出的技术创新性与产业化成果，荣获“中国芯”优秀技术创新产品奖。瞻芯电子CTO叶忠博士代表公司出席颁奖仪式并登台领奖。

“中国芯”评选是国内集成电路领域最具影响力的行业评选之一，重点考察参选产品的技术创新性、性能水平与市场表现，是国产芯片创新实力的权威风向标。瞻芯电子此次获奖，标志着其第3代碳化硅功率器件在技术先进性、可靠性与规模商用能力上，已获行业高度认可。

获奖产品：第3代SiC MOSFET的硬核实力

本次获奖的第3代1200V 35毫欧 SiC MOSFET系列产品（型号IV3Q12035xxx），依托浙江瞻芯SiC晶圆产线研发，采用平面栅结构，通过紧凑的元胞设计与优化工艺，在业界实现较低的比导通电阻，同等芯片尺寸下导通电阻更小，开关损耗较前代产品降低30%以上。

产品最突出的亮点在于高温工况下导通电阻的卓越稳定性：在175℃高温运行时，导通电阻仅升至常温的1.67倍（15V驱动下低至1.42倍），而市场主流产品通常升高2倍以上，显著降低器件开关与导通损耗，特别适配车载OBC、光储、充电桩等长期持续重载的严苛场景。同时，器件通过严苛动态反偏（DRB）长时可靠性验证，可稳定承受150V/ns电压变化冲击，极限耐受dv/dt超200V/ns，具备更高开关频率与极速关断工况下的优异鲁棒性。

车规级品质，千万颗级规模验证

该系列产品按照严格的汽车级可靠性标准设计，并通过超越车规级标准的加严可靠性测试，具有卓越的鲁棒性与稳定性，经过千万颗级别规模交付，赢得光伏逆变器、充电桩、新能源汽车等领域多家头部客户高度认可与批量应用。

产业里程碑：IDM模式下的规模化落地

作为国内领先的碳化硅IDM公司，瞻芯电子拥有自建SiC晶圆产线及全套SiC MOSFET工艺技术。截至2026年10月，瞻芯SiC MOSFET累计出货已突破1.5 亿颗，客户覆盖全部主流厂商，并在多个细分市场成为业界领先方案供应商。

叶忠博士感言

“非常感谢主办方和评委会授予瞻芯电子‘中国芯’优秀技术创新产品奖。这份荣誉是对瞻芯第三代SiC MOSFET技术路线与产业化成果的肯定。瞻芯将持续深耕碳化硅功率半导体，打磨更高性能、更高可靠的SiC器件，为新能源汽车、光储等下游客户提供高性能、高品质、稳定量产的国产碳化硅方案，助力我国第三代半导体产业自立自强。”

关于瞻芯电子

上海瞻芯电子科技股份有限公司（简称“瞻芯电子”）是一家聚焦于碳化硅(SiC)半导体领域的高科技芯片公司，2017年成立于上海临港。公司致力于开发碳化硅功率器件和模块、驱动和控制芯片产品，并围绕碳化硅(SiC)应用，为客户提供一站式解决方案。瞻芯电子是中国第一家自主开发并掌握6英寸碳化硅(SiC)MOSFET产品以及工艺平台的公司，拥有一座车规级碳化硅(SiC)晶圆厂，标志着瞻芯电子进入中国领先碳化硅(SiC)功率半导体IDM公司行列。

作为国家高新技术企业、国家专精特新“小巨人”企业和上海市企业技术中心，瞻芯电子将持续创新，放眼世界，致力于打造中国领先、国际一流的碳化硅(SiC)功率半导体和芯片解决方案提供商。