7月27日，瞻芯电子推出2款隔离型、智能、单通道16-脚栅极驱动芯片：IVCO1B11与IVCO1B12。IVCO1B11具备多种保护功能，如短路保护、有源米勒钳位，对SiC和IGBT的驱动性能做了优化，驱动电流高达15A，相比市场主流产品，具有更优的窄脉冲工作能力，封装同为SOIC(W)-16，可实现直接替换。

IVCO1B12 与 IVCO1B11不同，采用了电流源驱动,  并增加了栅极漏电流监测、两级软关断、集成负压等功能。电流源驱动在减少 dv/dt 波动，降低Eon方面更具优势；栅级漏电流监测采用瞻芯的专利电路，能可靠监测栅极漏电流故障，并按故障类别汇报识别编码。这几项新功能深度适配 SiC MOSFET 与 IGBT 大功率模块应用，在固态断路器（SSCB）、大电机驱动、大功率变流等场景，能极大地简化 EMI 调控，并提高系统的安全性和可靠性。

一、IVCO1B11产品核心亮点

1. 栅极超大电流分离输出OUTH 峰值拉电流 15A，OUTL 峰值灌电流 13A，开关能力强劲，可直接驱动大功率模块。

2. 损耗更优芯片优化内部动态内阻，在外接同等驱动电阻条件下，相比传统的 10A 驱动芯片时，开通损耗显著更低，多种工况实测数据对比如下图：

3. 内置死区防护（可选）IVCO1B11H 内置 280ns 固定死区时间，通过 IN- 与 IN+ 时序匹配，精准控制上下功率管开关延时，有效防止桥臂直通风险，如下图。IVCO1B11F无内置死区。

二、IVCO1B12产品主要核心亮点

1.可编程恒流开通驱动

通过检测 OUT 与 MCLP 电压差，并闭环稳压至 2V 左右，外接电阻即可灵活配置恒定开通电流，有效抑制从 轻载 到 重载 工况时 dv/dt 波动，平衡 轻载EMI 与 重载开关损耗。总体上，恒压驱动（CVD）对比 恒流驱动（CCD）的优点如下：

① 相同母线电压时，随着输出电流增大，恒流驱动dv/dt 下降更少，开通损耗更低

② 在di/dt一致时，电流源型驱动dv/dt更大，Eon更低

③ 在常温和高温下，电流源型驱动dv/dt 波动相差较小

下图是在不同dv/dt 下 恒流驱动（CCD）与恒压驱动（CVD）的开通损耗比较。以轻载时恒流驱动和恒压驱动都设在 10 V/ns 为例，在大电流 900A 时，恒流驱动能保持 dv/dt 基本不降低，相比于恒压驱动，Eon 减小 16%。

2. 栅极漏电流实时监测

内置栅极漏电检测机制（专利技术），能可靠地通过实时监测 COM-VEE 电压，并提前预判SiC MOSFET 栅极老化、潜在失效风险，大幅提升系统的安全性。

正向漏电预警：+I_GSS > 200 μA, V_CN=4 V ;  正向漏电故障： V_CN> 5 V

反向漏电预警：-I_GSS>200 μA, V_CN= 1.83 V

3. 二级软关断功能

当系统发生短路故障时，如下图，SOFTOFF输出恒定高电平，将二级软关断对应的MOSFET打开，同时MCLP（Miller Clamp）引脚会一直监测门级电压，当门级电压到VEE+2V之后，SOFTOFF就停止高电平输出。该二级软关断功能可以在加快关断的同时保持较低的过压尖峰。

4. 集成-3.5V 负压电源

在COM脚和VEE之间，只需加一个外置电容，即可生成负压电路。当VDD超过UVLO阈值后，芯片内部100mA电流源快充电容到3.5V，再通过200μA动态稳压，维持COM-VEE之间负压。该集成负压功能可大大简化PCB和外围电路设计，降低BOM成本。

三、IVCO1B11/12系列典型应用和功能总结

IVCO1B11典型应用图：

IVCO1B12典型应用图：

四、产品选型

瞻芯电子IVCO1B11/12系列现已量产，进一步咨询可联系邮箱sales@inventchip.com.cn，更多产品信息敬请访问 www.inventchip.com.cn

IVCO1B12 相关技术论文 : “Advanced Driver IC with IGSS Detection and Constant Current Driving for Inverter Applications” PCIM 2026