该产品采用第3代平面栅极SiC MOSFET技术，对比第2代技术进一步提升器件元胞密度，在保证器件耐压和短路能力的前提下，将比导通电阻（Rsp）降低至2.5mΩ·cm²，达到国际一流水平。同时导通电阻的温度系数更低，在高温下保持稳定的低损耗。驱动电压推荐18V，且兼容15V。