上海瞻芯电子科技股份有限公司
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IV1D06004F5
Gen-1 650V 4A in DFN8x8
这款采用第1代SiC SBD工艺技术的二极管产品，具有较低的正向压降（Vf)、较高的击穿电压(BV)和较小的反向恢复电流，能耐受较大的浪涌电流。
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