新闻资讯

NEWS

瞻芯电子应邀出席“2023集成电路产业集群(浙江)创新发展大会”并做主题分享

来源: 发布时间:2023/12/14点击数:321

12月12日上午,由浙江省发展和改革委员会、杭州市人民政府、中国半导体行业协会指导,杭州市发展和改革委员会、滨江区人民政府、浙江省支持浙商创业创新服务中心(浙江省“一带一路”综合服务中心)主办的“2023集成电路产业集群(浙江)创新发展大会”在杭州顺利召开。

1703142305833543.png

省委人才办专职副主任张旭明、省发展改革委副主任李军、省科技厅副厅长周土法、省商务厅副厅长石琪琪,杭州市副市长孙旭东、杭州高新区(滨江)党委副书记、管委会主任、区长郑迪出席会议。

在会上,李军表示,浙江作为国家集成电路产业布局重点区域,未来将以数字经济创新提质“一号发展工程”为引领,全力推动集成电路产业高质量,建成具有国际竞争优势的集成电路产业集群。

1703143142700385.png

图片:浙江省发展改革委副主任 李军


在会议主题报告环节,中国工程院院士吴汉明、高通中国区负责人、浙江代表企业,比如杭州广立微电子有限公司和浙江零跑汽车科技股份有限公司,分别做了主题演讲。后续围绕“构建特色协同创新体系,打造浙江省半导体产业集群”,现场举办了圆桌研讨,分享了集成电路产业的现状和未来趋势,探讨浙江集成电路产业的创新发展。

大会还举办了三场专题研讨会,分别围绕模拟与功率芯片及化合物半导体、半导体材料产业创新发展、半导体装备及零部件等主题展开。

1703143201221136.png

图片:瞻芯电子总经理 张永熙 博士

瞻芯电子作为国内知名企业代表应邀出席,张永熙博士在“模拟与功率芯片及化合物半导体”专题研讨会上作《SiC MOSFET的技术演进以及在新能源汽车上的应用》主题报告。

张博士从碳化硅(SiC)材料的特性优势出发,讲解了碳化硅(SiC)产品技术演进:“当前平面型和沟槽型SiC MOSFET路线并驾齐驱,1200V SiC MOSFET的比导通电阻(Rsp)已进入2~3mΩ/cm2时代,预计2025年将低于2mΩ/cm2,而且沟槽型逐步成为下一代SiC MOSFET的主流路线。”

“为了加快产品迭代开发和加强产能保障能力,瞻芯电子于浙江义乌建成投产了一座车规级6英寸SiC晶圆厂,计划2025年产能达到12万片6英寸晶圆/年。而且,我们今年10月通过了IATF16949的车规级质量体系认证,还有多颗义乌晶圆厂制造的SiC MOSFET产品完成了AEC-Q101车规级可靠性认证。”

13.png

图片:瞻芯电子浙江义乌SiC晶圆厂

关于碳化硅(SiC)的应用市场,张博士说:“目前最大的应用市场还是新能源汽车,其中最核心是电驱动,也叫主驱逆变器,这里国产SiC MOSFET还在送样验证过程中。而在车载OBC和DCDC中SiC MOSFET量产导入最多,渗透率估计50%。此外车载空压机、高压辅源和BMS等应用也在逐步导入量产。”

1703143297472867.jpg

图片:瞻芯电子总经理 张永熙 博士

展望未来,张博士总结道:“充足的产能保证高质量交付能力将是我们下一阶段发展的关键,因此整合了器件设计、工艺开发和晶圆制造的IDM(Integrated Device Manufacturer)模式是最佳商业模式。我们希望新能源汽车客户能给国产芯片商一个同台竞技的公平机会,同时更希望与客户紧密合作,共同定义开发下一代创新产品。”