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瞻芯研发的紧凑型SiC栅极驱动IVCR1412实现量产,集成负压和米勒抑制功能

来源: 发布时间:2022/09/01点击数:1043

近期,上海瞻芯电子科技有限公司量产了一款比邻驱动®NextDrive®芯片IVCR1412,这是业界第一款集成负压和米勒效应抑制功能,且为极紧凑SOT23-6封装的栅极驱动芯片,可为SiC MOSFETSi MOSFETIGBT提供简便、紧凑且可靠的栅极驱动解决方案。

IVCR1412驱动芯片的输出是一个准电流源,从而免除了所有栅极电阻,又能贴近功率管安装,可最大限度地减小了栅极驱动环路杂散电感,动态均流效果提升明显。

该驱动芯片集成了一个负压电荷泵,可以以提供-2V的关断电压。如果不需要-2V的关断电压,直接使用OUT输出即可。由于栅极驱动环路上没有栅极电阻,驱动器的强下拉输出可实现有源米勒效应抑制功能,从而可靠地关断MOSFET。该驱动芯片也适用于硅MOSFETIGBT驱动。

在关断时,驱动芯片的输出首先以4A电流下拉80ns,然后以3 Ω的下拉电阻使输出保持低电平,从而为栅极环路振荡提供必要的阻尼

该驱动芯片还具有一个驱动电流大小的编程引脚,可调节开通时上拉的峰值电流大小,用于 MOSFET 的导通速度调节,便于优化SiC MOSFET的开通速度与系统噪声

IVCR1412是一款高速驱动芯片它非常适合并联 MOSFET的一对一驱动,以实现良好的动态均流。主要应用于新能源汽车OBC、电机驱动、AC/DCDC/DC转换器、服务器和通信设备的整流器、EV/HEV逆变器及DC/DC转换器、光伏升压及逆变、UPS等领域。


欢迎感兴趣的客户伙伴来咨询了解更多信息,并可申领样品。

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IVCR1412的主要特性如下:

l  6引脚SOT-23封装

l  高达2A的峰值拉电流和4 A的峰值灌电流

l  80ns 灌电流持续控制

l  高达30V的宽幅VDD供电

l  VDD 欠压保护,4.5V25V推荐工作电压

l  集成-2V电压输出(默认),或者0V输出选项

l  抑制米勒效应

l  可配置输出驱动电流

l  低至-5V负压输入

l  兼容TTLCMOS输入电平

l  低传播延迟(16ns)

l  输入浮空时输出为低电平

l  -40℃至125℃的工作温度范围


   

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关于瞻芯电子

上海瞻芯电子科技有限公司是一家聚焦于碳化硅(SiC)半导体领域的高科技芯片公司,2017年成立于上海临港。瞻芯电子齐集了海内外一支经验丰富的高素质核心团队,致力于开发碳化硅功率器件、驱动和控制芯片、碳化硅功率模块产品。

瞻芯电子是中国第一家自主开发并掌握6英寸SiC MOSFET产品以及工艺平台的公司,致力于打造中国领先、国际一流的碳化硅(SiC)功率半导体和芯片解决方案提供商。


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