来源：https://mp.weixin.qq.com/s/TiuPfwEANtngU_HowuDBgA 发布时间：2020/09/26点击数：3553
2020 年第三代宽禁带半导体产业发展
在线技术论坛
5月20日下午14:00 ---16:00
主办：
中国电子信息博览会（CITE2020）
协办：
上海市集成电路行业协会
《中国电子商情》杂志社
演讲题目：“Faster, Cooler, Tougher”——第三代半导体的机遇和挑战
演讲嘉宾：上海瞻芯电子科技有限公司创始人兼总经理，张永熙博士
演讲摘要
以GaN和SiC为代表的宽禁带（暨第三代）半导体材料开始在射频和功率领域挑战Si材料的统治地位；“更快、更酷、更强悍”已经成为第三代半导体器件走向市场所展现出的独特优势，本次讲座将从材料、工艺、器件、应用几个方面，着重介绍GaN和SiC在功率半导体领域所存在的挑战和机遇。
张永熙博士于2017年7月创办了上海瞻芯电子科技有限公司，专注于碳化硅功率器件芯片和驱动芯片的产业化。张博士2000年从复旦大学硕士毕业后，加入上海贝岭，历任工艺工程师、注入工程部经理和4英寸产线的厂长。而后，从2003年到2008年于新泽西州立大学（Rutgers University）获得博士学位，研发了世界上第一款碳化硅功率集成电路。2008年到2017年就职于美国德州仪器（TI）模拟技术研发部，担任功率器件和工艺集成工程师，于2016年年底入选高级主任工程师Senior Member Technical Staff（SMTS，占工程师总数比例6%）。专长LDMOS和VDMOS等核心功率器件设计和工艺集成，先后量产了多代BCD工艺技术。发表论文18篇，获得美国发明专利16项、中国发明专利4项。
演讲题目：安森美半导体SiC方案应用于太阳能逆变器电源及电动汽车充电桩等
演讲嘉宾：安森美半导体标准产品部工程师 袁光明
演讲摘要
现代可再生能源、电动/混动汽车、服务器和工业电源等高要求的应用提出了具挑战性的高能效和功率密度目标，碳化硅(SiC) 方案提供超越硅方案的性能优势，安森美半导体提供独一无二的SiC生态系统，包括SiC二极管、SiC MOSFET、SiC驱动器及集成模块，乃至广泛的资源和工具，简化和加速设计流程，如SPICE模型，帮助设计人员在仿真中实现其应用性能而无需昂贵的测量周期。本次研讨会将介绍安森美半导体的SiC 生态系统及颠覆性的SPICE建模，以及SiC用于太阳能及可再生能源、电动/混动汽车充电桩、服务器和工业应用的方案。
袁光明(Jerry Yuan)先生是安森美半导体标准产品部的工程师，毕业于华南理工大学并获得硕士学位。袁先生毕业后一直在半导体行业工作，拥有超过13年成功的产品开发及技术支持经验。
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