SiC MOSFET驱动电压尖峰分析与抑制(上)
设计可靠的驱动电路来抑制的驱动电压尖峰是发挥SiC MOSFET优势特性的关键。为此,我们首先测试复现驱动尖峰波形并分析原因,然后采取相应措施...
设计可靠的驱动电路来抑制的驱动电压尖峰是发挥SiC MOSFET优势特性的关键。为此,我们首先测试复现驱动尖峰波形并分析原因,然后采取相应措施...
瞻芯电子应邀出席,CEO张永熙博士在专题研讨会上作《SiC MOSFET的技术演进以及在新能源汽车上的应用》主题报告。
瞻芯电子凭借其车规级碳化硅(SiC)MOSFET产品的卓越性能和创新特点,荣获“汽车芯片50强”奖项。
IV2Q171R0D7Z是瞻芯电子的第二代碳化硅(SiC) MOSFET中1700V产品,驱动电压(Vgs)为15~18V,室温下导通电流为6.3A。该产品采用车规级...
瞻芯电子提出了一种新颖的高压预充方案,采用恒流控制的buck电路,可将后级母线电容快速充到电池电压。该方案采用碳化硅(SiC)MOSFET和碳化硅(...